Rochester Electronics, LLC HUF75333P3
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HUF75333P3
2071-HUF75333P3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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HUF75333P3详情
Rochester Electronics, LLC HUF75333P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
JESD-609代码
e0
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
66A
漏极-源极导通最大电阻
0.016Ohm
DS 击穿电压-最小值
55V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
HUF75333P3拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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