Rochester Electronics, LLC IRF1010ZSPBF
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IRF1010ZSPBF
2071-IRF1010ZSPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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HEXFET POWER MOSFET
1最小包装量--
IRF1010ZSPBF详情
Rochester Electronics, LLC IRF1010ZSPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
140W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2.84pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
95nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRF1010ZSPBF拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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