Rochester Electronics, LLC IRF121

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Number of Elements

1

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

锡铅

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.27Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

37A

DS 击穿电压-最小值

80V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant