Rochester Electronics, LLC IRF8113GPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6mOhm @ 17.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2.91pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant