Rochester Electronics, LLC IRFD113

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

表面安装

NO

安装类型

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA Tc

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡铅

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 800mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

DS 击穿电压-最小值

80V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant