Rochester Electronics, LLC IRFR3410PBF
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IRFR3410PBF
2071-IRFR3410PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
IRFR3410PBF详情
Rochester Electronics, LLC IRFR3410PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
31A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3W Ta 110W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
39mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1.69pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRFR3410PBF拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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