Rochester Electronics, LLC IRFS3107PBF
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IRFS3107PBF
2071-IRFS3107PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
IRFS3107PBF详情
Rochester Electronics, LLC IRFS3107PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
195A Tc
Power Dissipation (Max)
370W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
系列
HEXFET®
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3mOhm @ 140A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9.37pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
240nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
75V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRFS3107PBF拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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