Rochester Electronics, LLC IRFS59N10DPBF

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

D2PAK

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 200W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

59A Tc

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

25mOhm @ 35.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2.45pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

114nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant