Rochester Electronics, LLC IRFS750A
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IRFS750A
2071-IRFS750A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
IRFS750A详情
Rochester Electronics, LLC IRFS750A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
表面安装
NO
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Power Dissipation (Max)
49W Tc
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT APPLICABLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
300m Ω @ 4.2A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2.78pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
131nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.3Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
DS 击穿电压-最小值
400V
雪崩能量等级(Eas)
1210 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
unknown
IRFS750A拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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