Rochester Electronics, LLC MMBF2202PT1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.7nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.3A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant