MMBF5484LT1G
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Rochester Electronics, LLC MMBF5484LT1G

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型号

MMBF5484LT1G

utmel 编号

2071-MMBF5484LT1G

商品类别

晶体管 - JFET

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

起订量

1最小包装量--

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MMBF5484LT1G
MMBF5484LT1G Rochester Electronics, LLC SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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MMBF5484LT1G详情

Rochester Electronics, LLC MMBF5484LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率 - 最大

    225mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5pF @ 15V

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    1 pF

  • 最高频段

    极高频率 b

  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)

    1mA @ 15V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    300mV @ 10nA

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    25V

  • 功率增益-最小值(Gp)

    16dB

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC MMBF5484LT1G.

MMBF5484LT1G拓展信息

2N5950_J35Z
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P1087_D74Z
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2N5639_Q
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2N3819_Q
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P1087_J18Z
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PN4093
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BF245B_J35Z
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MPF4393RLRPG
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PN4091
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PN4118
PN4118

Rochester Electronics, LLC

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