Rochester Electronics, LLC MMDF3N02HDR2

表面安装

YES

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Ta

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Number of Elements

2

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

锡铅

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19A

DS 击穿电压-最小值

20V

雪崩能量等级（Eas）

405 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant