Rochester Electronics, LLC MMFT2N02ELT1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

未说明

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 800mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

580pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant