MUN5212T1
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Rochester Electronics, LLC MUN5212T1

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型号

MUN5212T1

utmel 编号

2071-MUN5212T1

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

起订量

1最小包装量--

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MUN5212T1
MUN5212T1 Rochester Electronics, LLC SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

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MUN5212T1详情

Rochester Electronics, LLC MUN5212T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1A

  • 最小直流增益(hFE)

    60

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC MUN5212T1.

MUN5212T1拓展信息

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NSBC114YPDXV6T1
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NSBA114EDXV6T5G
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MUN5212DW1T1
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MUN5335DW1T2
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NSBC143EPDXV6T1
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NSM11156DW6T1G
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