Rochester Electronics, LLC NDS336P
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NDS336P
2071-NDS336P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
1最小包装量--
NDS336P详情
Rochester Electronics, LLC NDS336P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V 4.5V
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
哑光锡
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 1.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
360pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.2Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NDS336P拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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