Rochester Electronics, LLC NDS356P

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A Ta

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

TIN

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

210m Ω @ 1.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

180pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.21Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant