Rochester Electronics, LLC NTD3808N-1G

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 76A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta 52W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

TIN

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.8m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.66pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

16V

Vgs（最大值）

±16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

152A

DS 击穿电压-最小值

16V

雪崩能量等级（Eas）

29.4 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant