Rochester Electronics, LLC NTD60N02R-1G

表面安装

NO

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.25W Ta 58W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.5A Ta 32A Tc

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.33pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

32A

漏极-源极导通最大电阻

0.0105Ohm

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant