Rochester Electronics, LLC NTLJS3A18PZTWG
- 收藏
- 对比
NTLJS3A18PZTWG
2071-NTLJS3A18PZTWG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-WDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
1最小包装量--
NTLJS3A18PZTWG详情
Rochester Electronics, LLC NTLJS3A18PZTWG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
供应商器件包装
6-WDFN (2x2)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
700mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18mOhm @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2.24pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NTLJS3A18PZTWG拓展信息
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics







哦! 它是空的。