Rochester Electronics, LLC NTMS3P03R2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.34A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

730mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

锡铅

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 3.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.34A

漏极-源极导通最大电阻

0.085Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

反馈上限-最大值 (Crss)

135 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant