Rochester Electronics, LLC NTQS6463R2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

930mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

锡铅

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 6.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant