Rochester Electronics, LLC NTR1P02LT1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.3A

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡铅

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 750mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 4V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant