Rochester Electronics, LLC NVD6416ANLT4G
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NVD6416ANLT4G
2071-NVD6416ANLT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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NVD6416ANLT4G详情
Rochester Electronics, LLC NVD6416ANLT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
DPAK (SINGLE GAUGE)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
71W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
74mOhm @ 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1nF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NVD6416ANLT4G拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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