NVMS10P02R2G
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Rochester Electronics, LLC NVMS10P02R2G

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型号

NVMS10P02R2G

utmel 编号

2071-NVMS10P02R2G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

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NVMS10P02R2G Rochester Electronics, LLC MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

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NVMS10P02R2G详情

Rochester Electronics, LLC NVMS10P02R2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    8-SOIC

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    10A Ta

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC NVMS10P02R2G.

NVMS10P02R2G拓展信息

PHK31NQ03LT,518
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IPP80N04S2H4AKSA2
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IRF830
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BUZ21
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FDN358P
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FDV303N
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FQU4N50TU
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