Rochester Electronics, LLC RFD16N05LSM
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RFD16N05LSM
2071-RFD16N05LSM
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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RFD16N05LSM详情
Rochester Electronics, LLC RFD16N05LSM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
哑光锡
附加功能
MEGAFET
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
16A
漏极-源极导通最大电阻
0.056Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
45A
DS 击穿电压-最小值
50V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
RFD16N05LSM拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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