Rochester Electronics, LLC RFP12N10L

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡铅

电压 - 额定直流

100V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 12A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 25V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

漏源击穿电压

100V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅