Rochester Electronics, LLC RFP14N05L
- 收藏
- 对比
RFP14N05L
2071-RFP14N05L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
RFP14N05L详情
Rochester Electronics, LLC RFP14N05L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Power Dissipation (Max)
48W Tc
Number of Elements
1
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 14A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
670pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±10V
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
14A
漏极-源极导通最大电阻
0.1Ohm
DS 击穿电压-最小值
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RFP14N05L拓展信息
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics







哦! 它是空的。