Rochester Electronics, LLC SI4410DYPBF
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SI4410DYPBF
2071-SI4410DYPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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HEXFET POWER MOSFET
1最小包装量--
SI4410DYPBF详情
Rochester Electronics, LLC SI4410DYPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1.585pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SI4410DYPBF拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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