Rochester Electronics, LLC SPP15P10P

表面安装

NO

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

128W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

系列

SIPMOS®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

未说明

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

240m Ω @ 10.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 1.54mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.18pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15A

漏极-源极导通最大电阻

0.24Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant