UPA2680T1E-E2-AT
UPA2680T1E-E2-AT

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Rochester Electronics, LLC UPA2680T1E-E2-AT

  • 收藏
  • 对比

型号

UPA2680T1E-E2-AT

utmel 编号

2071-UPA2680T1E-E2-AT

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-VDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

POWER, N-CHANNEL MOSFET

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
UPA2680T1E-E2-AT
UPA2680T1E-E2-AT Rochester Electronics, LLC POWER, N-CHANNEL MOSFET

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

UPA2680T1E-E2-AT详情

Rochester Electronics, LLC UPA2680T1E-E2-AT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VDFN Exposed Pad

  • 供应商器件包装

    6-MLP (3x3)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A Ta

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    50mOhm @ 3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    190pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.1nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: Rochester Electronics, LLC UPA2680T1E-E2-AT.

UPA2680T1E-E2-AT拓展信息

PHK31NQ03LT,518
PHK31NQ03LT,518

Rochester Electronics, LLC

IPP80N04S2H4AKSA2
IPP80N04S2H4AKSA2

Rochester Electronics, LLC

IRF830
IRF830

Rochester Electronics, LLC

BUZ21
BUZ21

Rochester Electronics, LLC

FDN358P
FDN358P

Rochester Electronics

NDT3055
NDT3055

Rochester Electronics

FDV303N
FDV303N

Rochester Electronics

IRF9630
IRF9630

Rochester Electronics, LLC

FQU4N50TU
FQU4N50TU

Rochester Electronics, LLC

FDS6630A
FDS6630A

Rochester Electronics

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z