ROHM Semiconductor 2SA1727TLP
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2SA1727TLP
2078-2SA1727TLP
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS PNP 400V 0.5A SOT-428
--最小包装量--
2SA1727TLP详情
ROHM Semiconductor 2SA1727TLP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Number of Elements
1
hFEMin
82
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn98Cu2)
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
-400V
最大功率耗散
1W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SA1727
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率 - 最大
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
12MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
400V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
82 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 10mA, 100mA
转换频率
12MHz
最大击穿电压
400V
集电极基极电压(VCBO)
400V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SA1727TLP拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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