ROHM Semiconductor 2SA2007E

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

hFEMin

160

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1999

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

25W

元素配置

Single

增益带宽积

80MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

320 @ 2A 2V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 400mA, 8A

集电极基极电压(VCBO)

-100V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-12A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅