ROHM Semiconductor 2SAR522EBTL

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-89, SOT-490

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-120mV

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

150mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-F3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

350MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

350MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

-20V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-200mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅