ROHM Semiconductor 2SAR542F3TR

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

1999

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2.1W

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2.1W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 50mA, 1A

转换频率

240MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

240MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant