ROHM Semiconductor 2SB1186AE

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1998

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

-160V

最大功率耗散

2W

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

unknown

额定电流

-1.5A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

2W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 1A 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 100mA, 1A

转换频率

50MHz

频率转换

50MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅