ROHM Semiconductor 2SB1188T100Q

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-32V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Power Dissipation (Max)

500mW

Number of Elements

1

hFEMin

82

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-32V

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SB1188

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

800mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

32V

转换频率

100MHz

最大击穿电压

32V

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

VCEsat-最大值

0.8 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅