ROHM Semiconductor 2SB1580T100

包装/外壳

TO-243AA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Copper, Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

1000

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-100V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

2W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SB1580

引脚数量

3

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

50MHz

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 1A 2V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1mA, 1A

转换频率

50MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

8V

连续集电极电流

-2A

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅