ROHM Semiconductor 2SC5663T2L
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2SC5663T2L
2078-2SC5663T2L
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-723
大陆
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TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
--最小包装量--
2SC5663T2L详情
ROHM Semiconductor 2SC5663T2L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Collector-Emitter Saturation Voltage
90mV
Number of Elements
1
hFEMin
270
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
12V
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SC5663
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
320MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 200mA
转换频率
320MHz
最大击穿电压
12V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
500mA
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SC5663T2L拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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