注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.109643
10
¥1.046832
100
¥0.987578
500
¥0.931677
1000
¥0.878941
ROHM Semiconductor 2SC5876T106R
- 收藏
- 对比
2SC5876T106R
2078-2SC5876T106R
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

TRANS NPN 60V 0.5A SOT-323
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SC5876T106R详情
ROHM Semiconductor 2SC5876T106R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
150mV
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
频率
300MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SC5876
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 50mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 100mA
转换频率
300MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
500mA
接通时间-最大值(ton)
70ns
高度
900μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SC5876T106R拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。