ROHM Semiconductor 2SD1760TLQ
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2SD1760TLQ
2078-2SD1760TLQ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS NPN 50V 3A SOT-428
--最小包装量--
2SD1760TLQ详情
ROHM Semiconductor 2SD1760TLQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
82
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
JESD-609代码
e2
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
15W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3A
频率
90MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SD1760
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
15W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
90MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 500mA 3V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 200mA, 2A
转换频率
90MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
2.3mm
长度
6.5mm
宽度
5.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1760TLQ拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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