ROHM Semiconductor 2SD1857TV2P

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

3-SIP

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

82

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SD1857

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

80MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

82 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 100mA, 1A

转换频率

80MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅