ROHM Semiconductor 2SD1963T100R

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Number of Elements

1

hFEMin

180

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

2W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 150mA, 1.5A

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅