ROHM Semiconductor 2SD2096T114E

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

HRT

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3/e2

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

TIN/TIN COPPER

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

1.8W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SD2096

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 2A

转换频率

8MHz

最大击穿电压

60V

频率转换

8MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅