ROHM Semiconductor 2SD2227STPW

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

SC-72 Formed Leads

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

1200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

300mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

150mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1200 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

300nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅