ROHM Semiconductor 2SD2654TLW
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2SD2654TLW
2078-2SD2654TLW
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-75, SOT-416
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TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
--最小包装量--
2SD2654TLW详情
ROHM Semiconductor 2SD2654TLW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current-Collector (Ic) (Max)
150mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SD2654
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
增益带宽积
250MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
820 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
300nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
最高频率
100MHz
转换频率
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
12V
高度
700μm
长度
1.7mm
宽度
900μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SD2654TLW拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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