ROHM Semiconductor 2SD2672TL

工厂交货时间

20 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-96

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Number of Elements

1

hFEMin

270

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

12V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 200mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 40mA, 2A

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

15V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅