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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.512103
10
¥0.483116
100
¥0.45577
500
¥0.429971
1000
¥0.405634
ROHM Semiconductor 2SD2704KT146
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- 对比
2SD2704KT146
2078-2SD2704KT146
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SD2704KT146详情
ROHM Semiconductor 2SD2704KT146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
50mV
Number of Elements
1
hFEMin
820
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SD2704
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
35MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
300mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
820 @ 4mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 3mA, 30mA
转换频率
35MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
25V
连续集电极电流
300mA
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD2704KT146拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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