ROHM Semiconductor BC848CT116

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

最大耗散功率(Abs)

0.35W

VCEsat-最大值

0.3 V

集电极-基极电容-最大值

3pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant