BC858BHZGT116
BC858BHZGT116

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥0.172852

  • 500

    ¥0.127094

  • 1000

    ¥0.105911

  • 2000

    ¥0.097166

  • 5000

    ¥0.09081

  • 10000

    ¥0.084477

  • 15000

    ¥0.081696

  • 50000

    ¥0.080336

Rohm Semiconductor BC858BHZGT116

  • 收藏
  • 对比

型号

BC858BHZGT116

utmel 编号

2078-BC858BHZGT116

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PNP 30V 0.1A SST3

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
BC858BHZGT116
BC858BHZGT116 Rohm Semiconductor TRANS PNP 30V 0.1A SST3

单价: $

合计:

库存:3000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BC858BHZGT116详情

Rohm Semiconductor BC858BHZGT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    SST3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Product Status

    不用于新设计

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • Base Product Number

    BC858

  • Emitter-Base Voltage

    5(V)

  • Operating Temperature Classification

    Military

  • Package Type

    SOT-23

  • Transistor Polarity

    PNP

  • Collector-Base Voltage

    30(V)

  • Category

    双极小信号

  • Operating Temp Range

    -65C to 150C

  • Collector Current (DC)

    0.1(A)

  • Number of Elements

    1

  • Rad Hardened

  • DC Current Gain

    210@2MA@5V

  • Mounting

    表面贴装

  • MSL

    MSL 1 - Unlimited

  • Qualification

    AEC-Q101

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    5 V

  • Pd - Power Dissipation

    200 mW

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • DC Collector/Base Gain hfe Min

    210

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    650 mV

  • Minimum Operating Temperature

    -

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Gain Bandwidth Product fT

    250 MHz

  • Part # Aliases

    BC858BHZG

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Brand

    ROHM 半导体

  • Maximum DC Collector Current

    100 mA

  • DC Current Gain hFE Max

    480

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    30 V

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BC858BHZGT116

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    1.52

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 包装

    卷带

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    250(MHz)

  • 引脚数量

    3

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    0.35(W)

  • 输出功率

    Not Required(W)

  • 功率 - 最大

    200 mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    210 @ 2mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    650mV @ 5mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    30 V

  • 转换频率

    250MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    210

  • 连续集电极电流

    100mA

  • 集电极-发射器电压-最大值

    30 V

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

0个相似型号

BC858BHZGT116拓展信息

2SB1188T100R
2SB1188T100R

ROHM Semiconductor

2SC4617TLQ
2SC4617TLQ

ROHM Semiconductor

2SD1898T100R
2SD1898T100R

ROHM Semiconductor

2SC2412KT146Q
2SC2412KT146Q

ROHM Semiconductor

2SA1579T106R
2SA1579T106R

ROHM Semiconductor

2SA1774TLQ
2SA1774TLQ

ROHM Semiconductor

2SB1132T100R
2SB1132T100R

ROHM Semiconductor

2SD1782KT146R
2SD1782KT146R

ROHM Semiconductor

2SB1197KT146R
2SB1197KT146R

ROHM Semiconductor

2SA1037AKT146R
2SA1037AKT146R

ROHM Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z