参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SST3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
不用于新设计
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Base Product Number
BC858
Emitter-Base Voltage
5(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
SOT-23
Transistor Polarity
PNP
Collector-Base Voltage
30(V)
Category
双极小信号
Operating Temp Range
-65C to 150C
Collector Current (DC)
0.1(A)
Number of Elements
1
Rad Hardened
无
DC Current Gain
210@2MA@5V
Mounting
表面贴装
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
210
Collector-Emitter Saturation Voltage
650 mV
Minimum Operating Temperature
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Part # Aliases
BC858BHZG
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
Maximum DC Collector Current
100 mA
DC Current Gain hFE Max
480
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
BC858BHZGT116
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
1.52
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
150°C (TJ)
包装
卷带
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
250(MHz)
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
Single
功率耗散
0.35(W)
输出功率
Not Required(W)
功率 - 最大
200 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
210 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
转换频率
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
30 V
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
210
连续集电极电流
100mA
集电极-发射器电压-最大值
30 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT